想要獲得生產(chǎn)光伏級(jí)（SOG硅）或半導(dǎo)體級(jí)（EG硅）的多晶硅原料，需要對(duì)工業(yè)硅進(jìn)一步提煉。目前行業(yè)主流從工業(yè)硅提煉多晶硅的方法主要有：改良西門子法、硅烷法和硅烷流化床法三種。

一、改良西門子法

改良西門子法首先制備得到SiHCl3，然后氫氣將SiHCl3還原得到高純度的多晶硅。包括五個(gè)主要環(huán)節(jié)：SiHCl3合成、SiHCl3精餾提純、SiHCl3的氫還原、尾氣的回收和SiCl4的氫化分離。

改良西門子法是最主要的生產(chǎn)多晶硅方法，其產(chǎn)能占總量的70%-80%。其制備的多晶硅純度較高，可用于CZ/FZ制備；沉積速率（8～10μm/min）與轉(zhuǎn)換效率（5%～20%）最高。

由于改良西門子法是在1100℃的溫度下沉積，電力成本是整個(gè)工藝的最大成本，還原電耗120 kWh/kg。

二、硅烷法

硅烷生產(chǎn)和熱解的多晶硅生產(chǎn)技術(shù)是在20世紀(jì)60年代后期建立起來(lái)的，它可以在較低的溫度下沉積多晶硅。由于硅烷法的分解不會(huì)引起任何化學(xué)腐蝕問題，所得到的多晶硅較少受到通過化學(xué)傳輸過程的金屬的污染，能生產(chǎn)更高純度的多晶硅。

硅烷法與改良西門子法接近，不同點(diǎn)為該方法中間產(chǎn)物為SiH4。主要是先制備得到SiH4，然后熱分解生產(chǎn)純度較高的棒狀多晶硅。

硅烷法生產(chǎn)成本高、安全性差。整個(gè)過程需要反復(fù)加熱冷卻，能耗較高，SiH4分解時(shí)在反應(yīng)室內(nèi)形成硅粉塵損失可達(dá)10%以上，沉積速率（3～8μm/min），目前的應(yīng)用較少。

三、硅烷流化床法

硅烷流化床法用于粒狀多晶硅沉積，是一個(gè)顯著不同的過程。該方法也需先制備得到SiH4，微小的硅顆粒在硅烷和氫混合物中流化，多晶硅沉積形成自由流動(dòng)的球形顆粒，平均直徑為700微米，大小分布為100-1500微米。

由于顆粒狀多晶硅的比表面積較大，流化床反應(yīng)器的效率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的西門子棒式反應(yīng)器。

此外，顆粒狀多晶硅的自由流動(dòng)形式和高體積密度可以加大單晶生產(chǎn)的效率。

在直拉法晶體生長(zhǎng)過程中，坩堝可以快速而容易地填充，這比塊狀多晶硅料塊的堆疊更充分，也為目前的連續(xù)加料技術(shù)的應(yīng)用提供更方便的原料，極大推動(dòng)了單晶硅生產(chǎn)的產(chǎn)能利用。

硅烷流化床法生產(chǎn)能耗大幅降低、成本低。分解溫度低，分解率高，副反應(yīng)少，流化床電耗僅為改良西門子法的10%~20%。具有未來(lái)代替改良西門子法的潛力，但其目前在產(chǎn)品純度、壁面沉積等方面仍存在一定的技術(shù)難題。

以上三種方法均可生產(chǎn)EG硅及SOG硅的生產(chǎn)。但對(duì)于SOG硅，為了生產(chǎn)成本的降低，還出現(xiàn)并發(fā)展了冶金法、氣相沉積法、無(wú)氯技術(shù)、碳熱還原反應(yīng)法、鋁熱還原法、無(wú)氯技術(shù)等多種新型SOG硅生產(chǎn)提純技術(shù)。